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J-GLOBAL ID：200902160198725489   整理番号：93A0900542

Ni-Si多層膜中の固体非晶質化反応の熱力学と速度論

Thermodynamic and kinetic aspects of solid state amorphization reaction in Ni/a-Si multilayer system.

著者 (5件)： WANG W-H (Inst. Physics, Academia Sinica, Beijing) ,  BAI H-Y (Inst. Physics, Academia Sinica, Beijing) ,  ZHANG Y (Inst. Physics, Academia Sinica, Beijing) ,  CHEN H (Inst. Physics, Academia Sinica, Beijing) ,  WANG W-K (Inst. Physics, Academia Sinica, Beijing)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 42  号： 9  ページ： 1499-1504  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Ni/非晶質Siの成分変調多層膜の界面における固相反応を調べた。計算で得た準安定自由エネルギー図に基づいて,界面上の固相反応による非晶質形成に対する熱力学的および反応論的分析を行った。Ni/非晶質Siの固相非晶質化反応に対する速度論的反応模型を提案した

シソーラス用語： ニッケル ,  ケイ素 ,  非晶質半導体 ,  多層膜 ,  相互拡散 ,  界面 ,  X線回折 ,  自由エネルギー ,  合金化 ,  速度論

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ni ,  Si ,  多層膜 ,  固体 ,  非晶質化 ,  熱力学 ,  速度論