文献
J-GLOBAL ID：200902160250117212   整理番号：93A0955894

Selective removal of silicon-germanium: Chemical and reactive ion etching.

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著者 (6件)：
JOHNSON F S

JOHNSON F S について

(North Carolina State Univ., NC)

North Carolina State Univ., NC について

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MARTIN L R

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(North Carolina State Univ., NC)

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MISRA V

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(North Carolina State Univ., NC)

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HARRIS G A

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(North Carolina State Univ., NC)

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WORTMAN J J

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(North Carolina State Univ., NC)

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MAHER D M

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(North Carolina State Univ., NC)

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資料名：
Silicon-Based Optoelectronic Materials  (Silicon-Based Optoelectronic Materials)

Silicon-Based Optoelectronic Materials について


ページ： 157-162  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930556  ISBN： 1-55899-194-8  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

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