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J-GLOBAL ID：200902160646850281   整理番号：98A0105262

Siが吸着したGaAs(001)-(2×4)表面の安定性

The stability of a GaAs(001)-(2×4) surface with Si adatoms.
著者 (4件)：
KOMOKU K

KOMOKU K について

(Okayama Prefectural Univ., Okayama, JPN)

Okayama Prefectural Univ., Okayama, JPN について

, 
SHIRAISHI K

SHIRAISHI K について

(NTT Basic Res. Lab., Atsugi-shi, JPN)

NTT Basic Res. Lab., Atsugi-shi, JPN について

, 
ITO T

ITO T について

(NTT System Electronics Lab., Atsugi-shi, JPN)

NTT System Electronics Lab., Atsugi-shi, JPN について

, 
TERAMOTO I

TERAMOTO I について

(Okayama Prefectural Univ., Okayama, JPN)

Okayama Prefectural Univ., Okayama, JPN について


資料名：
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

Applied Surface Science について


巻： 121/122  ページ： 175-178  発行年： 1997年11月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Si吸着原子を含むGaAs(001)-(2×4)β2表面の安...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム について

,...
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分類 (2件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  半導体の表面構造 
(BK15030A)

半導体の表面構造 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
Si

Si について

, 
吸着

吸着 について

, 
GaAs

GaAs について

, 
安定性

安定性 について


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