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J-GLOBAL ID：200902161352586744   整理番号：02A0573455

In_1-xGa_xN合金における小さなバンドギャップのボーイング

Small band gap bowing in In_1-xGa_xN alloys.

著者 (7件)： WU J (Univ. California, California) ,  WALUKIEWICZ W (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  YU K M (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  AGER J W III (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  HALLER E E (Univ. California, California) ,  LU H (Cornell Univ., New York) ,  SCHAFF W J (Cornell Univ., New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 25  ページ： 4741-4743  発行年： 2002年06月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシーによりサファイア基板上に高品質のウルツ鉱構...

シソーラス用語： *窒化インジウム ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 合金 ,  バンドギャップ ,  ボーイング