GaAs/AlAs二重障壁ヘテロ構造における正孔のトンネリング時間に及ぼすバンド混合の効果

ERDOGAN M U; KIM K W; STROSCIO M A

文献

J-GLOBAL ID：200902161595339370 整理番号：93A0363796

GaAs/AlAs二重障壁ヘテロ構造における正孔のトンネリング時間に及ぼすバンド混合の効果

Effects of band mixing on hole tunneling times in GaAs/AlAs double-barrier heterostructures.

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巻： 62 号： 12 ページ： 1423-1425 発行年： 1993年03月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

包絡線関数近似の範囲内で標記トンネリング時間を計算した。トン...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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