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J-GLOBAL ID：200902161832426160   整理番号：94A0250814

高性能HBT及びGaAs MESFETのシングルイベント動特性

Single-Event Dynamics of High-Performance HBTs and GaAs MESFETs.

著者 (6件)： MCMORROW D (Naval Research Lab., Washington, D.C.) ,  WEATHERFORD T (Naval Research Lab., Washington, D.C.) ,  KNUDSON A R (Naval Research Lab., Washington, D.C.) ,  TRAN L H (Naval Research Lab., Washington, D.C.) ,  MELINGER J S (Naval Research Lab., Washington, D.C.) ,  CAMPBELL A B (Naval Research Lab., Washington, D.C.)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 40  号： 6 Pt 1  ページ： 1858-1866  発行年： 1993年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3MeVα粒子照射及び620nm色素レーザによるピコ秒レベル...

シソーラス用語： イオン照射 ,...
準シソーラス用語： SEU【ソフトエラー】

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  HBT ,  GaAs ,  MESFET ,  イベント ,  動特性