文献

J-GLOBAL ID：200902161845023188   整理番号：98A0813496

Ga₂O₃(Gd₂O₃)/InGaAsエンハーンスメントモードのnチャネルMOSFET’s

Ga₂O₃(Gd₂O₃)/InGaAs Enhancement-Mode n-Channel MOSFET’s.

著者 (9件)： REN F (Bell Lab., NJ, USA) ,  KUO J M (Bell Lab., NJ, USA) ,  HONG M (Bell Lab., NJ, USA) ,  HOBSON W S (Bell Lab., NJ, USA) ,  LOTHIAN J R (Bell Lab., NJ, USA) ,  LIN J (Bell Lab., NJ, USA) ,  TSAI H S (Bell Lab., NJ, USA) ,  MANNAERTS J P (Bell Lab., NJ, USA) ,  CHO A Y (Bell Lab., NJ, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 19  号： 8  ページ： 309-311  発行年： 1998年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿は,InP半絶縁性基板上のIn<sub>0.53</su...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0813496&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0344B") }}

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ga2O3 ,  Gd2O3 ,  InGaAs ,  nチャネルMOSFET