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J-GLOBAL ID：200902161857997854   整理番号：93A0472571

III-V半導体電極の特性に及ぼす電析した金の影響 3 厚い金の層を被覆したn-GaAsについての結果

The influence of electrodeposited gold on the properties of III-V semiconductor electrodes. Part 3. Results on n-GaAs provided with thick gold layers.

著者 (3件)： OSKAM G (Univ. Utrecht, Utrecht, NLD) ,  VANMAEKELBERGH D (Univ. Utrecht, Utrecht, NLD) ,  KELLY J J (Univ. Utrecht, Utrecht, NLD)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 38  号： 8  ページ： 1115-1121  発行年： 1993年06月 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題の金被覆n-GaAs電極のボルタンメトリーとインピーダン...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 価電子帯 ,...

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分類 (2件)： 電極過程  (CB07040U) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

タイトルに関連する用語 (5件)： III-V半導体 ,  電析 ,  金 ,  層 ,  GaAs