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J-GLOBAL ID：200902161943792645   整理番号：02A0014965

高品質の超薄膜CVD ZrO₂ゲート絶縁膜と自己整合TaNとTaN/多結晶Siゲート電極を持つMOS素子

MOS Devices with High Quality Ultra Thin CVD ZrO₂ Gate Dielectrics and Self-Aligned TaN and TaN/Poly-Si Gate Electrodes.

著者 (7件)： LEE C H (Univ. Texas, TX) ,  KIM Y H (Univ. Texas, TX) ,  LUAN H F (Univ. Texas, TX) ,  LEE S J (Univ. Texas, TX) ,  JEON T S (Univ. Texas, TX) ,  BAI W P (Univ. Texas, TX) ,  KWONG D L (Univ. Texas, TX)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2001  ページ： 137-138  発行年： 2001年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,金属ゲート電極を持つhigh-k誘電体が注目されている...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： TDDB

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分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高品質 ,  超薄膜 ,  CVD ,  ZrO2 ,  ゲート絶縁膜 ,  自己整合 ,  多結晶Si ,  ゲート電極 ,  MOS素子