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J-GLOBAL ID：200902162082505450   整理番号：02A0808625

Si引上単結晶酸素濃度分布のシミュレーション 半径方向酸素濃度分布の均一化

Finite Difference Analysis of Radial Oxygen Distribution in Silicon Czochralski-grown Single Crystals to Obtain its Uniform Distribution.

著者 (6件)： 大南隆司 (富士通ネットワークソルーションズ) ,  菅原活郎 (日本大 工) ,  杉野雄二 (信越半導体) ,  藤岡正和 (日立 機械研) ,  猪貝光祥 (日立超LSIシステムズ) ,  平山裕之 (日立超LSIシステムズ)
資料名： 日本大学工学部紀要  (Journal of the College of Engineering, Nihon University)
巻： 44  号： 1  ページ： 139-150  発行年： 2002年09月25日 
JST資料番号： G0810A  ISSN： 1343-2885  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Czochralski法によるシリコン単結晶は高純度の石英る...

シソーラス用語： *Czochralski法 ,...

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  引上 ,  単結晶 ,  酸素濃度 ,  分布 ,  シミュレーション ,  半径方向 ,  均一化