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J-GLOBAL ID：200902162121768803   整理番号：93A0903998

Enhancement of the metal/Si-doped AlGaAs Schottky barrier height by CH₄/H₂ reactive ion etching.

著者 (8件)： PEREIRA R (CPqD-Telebras, Campinas, BRA) ,  VAN HOVE M (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  DE RAEDT W (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  ALAY J (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  BENDER H (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  VANDERVORST W (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  BORGHS G (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  VAN ROSSUM M (IMEC vzw, Leuven, BEL)
資料名： 3-5 Electronic and Photonic Device Fabrication and Performance  (3-5 Electronic and Photonic Device Fabrication and Performance)
ページ： 211-216  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930543  ISBN： 1-55899-196-4  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  AlGaAs ,  H2