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J-GLOBAL ID：200902162181530288   整理番号：93A0664143

点欠陥モデルに基づく拡散シミュレータの開発 (I) 高濃度不純物拡散に伴うテール拡散

Development of a Diffusion Simulator Based on Point Defect Model. Enhanced “tail” Diffusion in heavily doped Silicon.

著者 (1件)： 中村光利 (東芝 ULSI研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 2  ページ： 690  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： 点欠陥 ,  モデル ,  拡散 ,  シミュレータ ,  開発 ,  高濃度 ,  不純物拡散 ,  テール