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J-GLOBAL ID：200902162327363575   整理番号：00A0560993

半導体ナノワイヤの生成とホトルミネセンス特性

Synthesis and photoluminescence properties of semiconductor nanowires.

著者 (9件)： BAI Z G (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  YU D P (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  WANG J J (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  ZOU Y H (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  QIAN W (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  FU J S (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  FENG S Q (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  XU J (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  YOU L P (Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B72  号： 2/3  ページ： 117-120  発行年： 2000年03月15日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： 半導体ナノワイヤ ,  ホトルミネセンス