文献

J-GLOBAL ID：200902162367727936   整理番号：97A0868759

有機金属化学蒸着によるGe/Si基板上での質を高めたGaAs層の成長

Quality-enhanced GaAs layers grown on Ge/Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition.

著者 (6件)： KIM K S (Jeonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  KIM J-H (Jeonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  LIM D H (Jeonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  YANG G M (Jeonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  KIM J Y (Jeonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  LEE H J (Jeonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 179  号： 3/4  ページ： 427-432  発行年： 1997年08月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質のGaAs層をSi基板上に低圧有機金属化学蒸着によって...

シソーラス用語： ゲルマニウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0868759&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属化学蒸着 ,  Ge ,  Si基板 ,  質 ,  GaAs ,  成長