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J-GLOBAL ID：200902162390722283   整理番号：01A0287445

プラズマアシスト原子層制御蒸着法を利用したAl2O3の成長と薄膜特性

Growth and Characterization of Aluminum Oxide(Al2O3) Thin Films by Plasma-Assisted Atomic Layer Controlled Deposition.
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著者 (3件)：
JEONG C-W

JEONG C-W について

(Seoul Nat’l Univ.)

Seoul Nat’l Univ. について

, 
LEE J-S

LEE J-S について

(Seoul Nat’l Univ.)

Seoul Nat’l Univ. について

, 
JOO S-K

JOO S-K について

(Seoul Nat’l Univ.)

Seoul Nat’l Univ. について


資料名：
Journal of the Korean Institute of Metals and Materials  (Journal of the Korean Institute of Metals and Materials)

Journal of the Korean Institute of Metals and Materials について


巻： 38  号： 10  ページ： 1395-1399  発行年： 2000年10月20日 
JST資料番号： A0698B  ISSN： 1738-8228  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 韓国語 (KO)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Alと前駆体とO前駆体の間の表面反応を熱分解反応にだけ依存す...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*プラズマCVD

プラズマCVD について

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プラズマ蒸着

プラズマ蒸着 について


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分類 (1件)：
分類
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薄膜成長技術・装置 
(BK14020I)

薄膜成長技術・装置 について

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タイトルに関連する用語
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プラズマ

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アシスト

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, 
原子層

原子層 について

, 
蒸着

蒸着 について

, 
Al2O3

Al2O3 について

, 
成長

成長 について

, 
膜特性

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