文献
J-GLOBAL ID：200902162734330398 整理番号：97A0637148
半導体 高品位SiC単結晶の成長(2) 改良レーリー法
Semiconductor. Growth of a high-grade SiC single crystal (2). Improved Rayleigh method.
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著者 (1件)：
一色実
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資料名：
金属 (Materials Science & Technology)
金属 について
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巻：
67
号：
7
ページ：
608-609
発行年：
1997年07月
JST資料番号：
F0157A
ISSN：
0368-6337
CODEN：
KNZKA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
解説
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
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