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J-GLOBAL ID：200902162915752170   整理番号：97A0191908

高アスペクト比の孔内の低固有抵抗FIB蒸着

Low Resistivity FIB Depositions Within High Aspect Ratio Holes.
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著者 (2件)：
LEE R A

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(Schlumberger Technol., California)

Schlumberger Technol., California について

, 
LUNDQUIST T R

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(Schlumberger Technol., California)

Schlumberger Technol., California について


資料名：
Proceedings of the International Symposium for Testing and Failure Analysis  (Proceedings of the International Symposium for Testing and Failure Analysis)

Proceedings of the International Symposium for Testing and Failure Analysis について


巻： 22nd  ページ： 85-88  発行年： 1996年 
JST資料番号： D0658B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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最近のIC修理要件は,集束イオンビーム(FIB)蒸着固有抵抗...
シソーラス用語：
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アスペクト比

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分類 (1件)：
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

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高アスペクト比

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固有抵抗

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FIB

FIB について

, 
蒸着

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