キャリア貯蔵構造を持つ4.5kV軟回復ダイオード

SATOH K; NAKAGAWA T; MORISHITA K; KOGA S; KAWAKAMI A

文献

J-GLOBAL ID：200902163060843196 整理番号：99A0017806

キャリア貯蔵構造を持つ4.5kV軟回復ダイオード

4.5kV Soft Recovery Diode With Carrier Stored Structure.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=99A0017806&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0017806&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=K19980600") }}

著者 (5件)：

SATOH K

SATOH K について

名寄せID(JGPN) 200901100530004123 ですべてを検索
「SATOH K」ですべてを検索

(Mitsubishi Electric Corp. Power Device Div., Fukuoka City, JPN)

Mitsubishi Electric Corp. Power Device Div., Fukuoka City, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000098108030 ですべてを検索
「Mitsubishi Electric Corp. Power Device Div., Fukuoka City, JPN」ですべてを検索

NAKAGAWA T

NAKAGAWA T について

名寄せID(JGPN) 200901100451671289 ですべてを検索
「NAKAGAWA T」ですべてを検索

(Mitsubishi Electric Corp. Power Device Div., Fukuoka City, JPN)

Mitsubishi Electric Corp. Power Device Div., Fukuoka City, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000098108030 ですべてを検索
「Mitsubishi Electric Corp. Power Device Div., Fukuoka City, JPN」ですべてを検索

MORISHITA K

MORISHITA K について

名寄せID(JGPN) 200901100549997034 ですべてを検索
「MORISHITA K」ですべてを検索

(Fukuryo Semicon Engineering Corp., Fukuoka City, JPN)

Fukuryo Semicon Engineering Corp., Fukuoka City, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000097029110 ですべてを検索
「Fukuryo Semicon Engineering Corp., Fukuoka City, JPN」ですべてを検索

KOGA S

KOGA S について

名寄せID(JGPN) 200901100479899064 ですべてを検索
「KOGA S」ですべてを検索

(Mitsubishi Electric Corp. Power Device Div., Fukuoka City, JPN)

Mitsubishi Electric Corp. Power Device Div., Fukuoka City, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000098108030 ですべてを検索
「Mitsubishi Electric Corp. Power Device Div., Fukuoka City, JPN」ですべてを検索

KAWAKAMI A

KAWAKAMI A について

名寄せID(JGPN) 201650000326441953 ですべてを検索
「KAWAKAMI A」ですべてを検索

(Mitsubishi Electric Corp. Power Device Div., Fukuoka City, JPN)

Mitsubishi Electric Corp. Power Device Div., Fukuoka City, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000098108030 ですべてを検索
「Mitsubishi Electric Corp. Power Device Div., Fukuoka City, JPN」ですべてを検索

資料名：

Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1998 (Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1998)

Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1998 について

JST資料番号 K19980600 ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る

ページ： 313-316 発行年： 1998年
JST資料番号： K19980600 ISBN： 0-7803-4752-8 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

回復特性において,自由運用に対する高電圧ダイオードは,低いd...

シソーラス用語：

シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

*PINダイオード

PINダイオードについて

「PINダイオード」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

,...
準シソーラス用語：

担体

担体について

「担体」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0017806&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=K19980600") }}

分類 (1件)：

分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです

ダイオード

(NC03050R)

ダイオードについて

分類コード NC03050R で文献を検索
分類コード4桁 NC03 で文献を検索

タイトルに関連する用語 (4件)：

タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

キャリア

キャリアについて

「キャリア」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

貯蔵構造

貯蔵構造について

「貯蔵構造」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

回復

回復について

「回復」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

ダイオード

ダイオードについて

「ダイオード」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

前のページに戻る