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J-GLOBAL ID：200902163197140303   整理番号：98A0007162

破壊電圧が200Vのダイヤモンド表面チャネルFET構造

Diamond Surface-Channel FET Structure with 200 V Breakdown Voltage.

著者 (5件)： GLUCHE P (Univ. Ulm, Ulm, DEU) ,  ALEKSOV A (Univ. Ulm, Ulm, DEU) ,  VESCAN A (Univ. Ulm, Ulm, DEU) ,  EBERT W (Univ. Ulm, Ulm, DEU) ,  KOHN E (Univ. Ulm, Ulm, DEU)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 18  号： 11  ページ： 547-549  発行年： 1997年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート-ドレイン破壊電圧が200Vの正孔が電導チャネルである...

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 破壊電圧 ,  ダイヤモンド ,  チャネル ,  FET