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J-GLOBAL ID：200902163256927762   整理番号：97A0223218

COPの分析による結晶品質の評価とシリコンウエハ表面への影響

Characterization of crystal quality by delineation of COP and the impact on the silicon wafer surface.

著者 (7件)： GRAEF D (Wacker Siltronic AG, Burghausen, DEU) ,  SUHREN M (Wacker Siltronic AG, Burghausen, DEU) ,  LAMBERT U (Wacker Siltronic AG, Burghausen, DEU) ,  SCHMOLKE R (Wacker Siltronic AG, Burghausen, DEU) ,  EHLERT A (Wacker Siltronic AG, Burghausen, DEU) ,  V AMMON W (Wacker Siltronic AG, Burghausen, DEU) ,  WAGNER P (Wacker Siltronic AG, Burghausen, DEU)
資料名： High Purity Silicon 4  (High Purity Silicon 4)
ページ： 117-131  発行年： 1996年 
JST資料番号： K19970059  ISBN： 1-56677-156-0  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiウエハのCOP(結晶起源粒子)評価から,結晶が関係した欠...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： COP【欠陥】

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： COP ,  分析 ,  結晶品質 ,  評価 ,  シリコンウエハ