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J-GLOBAL ID：200902163365086077   整理番号：93A0999470

無触媒プロセスによる銅上への無電解ニッケルめっき膜の析出機構

Mechanism fot the Deposition of Electroless Nickel Films on Copper with No Catalyzer.

著者 (5件)： 鈴木芳博 (日立エーアイシー) ,  高橋昭雄 (日立 日立研) ,  赤星晴夫 (日立 日立研) ,  和嶋元世 (日立) ,  奈良原俊和 (日立化成工業)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 44  号： 11  ページ： 950-956  発行年： 1993年11月 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 還元剤としてDMABを用いることにより銅上に無触媒法により無...

シソーラス用語： 銅 ,...
準シソーラス用語： 陰分極

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分類 (1件)： 無電解めっき  (WC08024S)

引用文献 (21件)：

• 1) Y. Suzuki, T. Takada, M. Ono, H. Akahoshi, A. Nagai, A. Takahashi, S. Amagi, T. Narahara, M. Wajima, K. Kogawa; US Pat. 5021296 (1991)
• 2) A. Brenner; Metal Finishing, 52, 61 (1954)
• 3) 石橋知; 金属表面技術, 12, 447 (1961)
• 石橋知; 姫路工業大学研究報告, No. 12, 60 (1960)
• 4) A. M. Castro Luna de Medina, S. L. Marchiano, A. J. Arvia; J. Appl. Electrochem., 8, 121 (1978)

タイトルに関連する用語 (6件)： 触媒 ,  プロセス ,  銅 ,  無電解ニッケル ,  めっき膜 ,  析出