HfO<sub>2</sub>/SiO<sub>2</sub>/Siシステムの軟X線光電子放出研究

SAYAN S; GARFUNKEL E; SUZER S

文献

J-GLOBAL ID：200902163396799373 整理番号：02A0311127

HfO₂/SiO₂/Siシステムの軟X線光電子放出研究

Soft x-ray Photoemission studies of the HfO₂/SiO₂/Si system.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=02A0311127&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0311127&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 80 号： 12 ページ： 2135-2137 発行年： 2002年03月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

軟X線光電子放出を用いてHfO₂/10...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0311127&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

金属-絶縁体-半導体構造 , 電子分光スペクトル

, , , , ,

前のページに戻る

HfO2/SiO2/Siシステムの軟X線光電子放出研究

HfO₂/SiO₂/Siシステムの軟X線光電子放出研究