高品質のGaInN/GaN多重量子井戸

KOIKE M; YAMASAKI S; NAGAI S; KOIDE N; ASAMI S; AMANO H; AKASAKI I

文献

J-GLOBAL ID：200902163433828206 整理番号：96A0278735

高品質のGaInN/GaN多重量子井戸

High-quality GaInN/GaN multiple quantum wells.

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資料名：
巻： 68 号： 10 ページ： 1403-1405 発行年： 1996年03月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

有機金属気相エピタクシーによって高品質のGa<sub>0.9...

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半導体薄膜 , 半導体のルミネセンス

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