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J-GLOBAL ID：200902163659492693   整理番号：01A0054278

高性能けい素技術のための銅のメタライゼーション

Copper metallization for high performance silicon technology.
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著者 (4件)：
ROSENBERG R

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(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)

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EDELSTEIN D C

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(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)

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HU C-K

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(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)

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RODBELL K P

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(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)

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資料名：
Annual Review of Materials Science  (Annual Review of Materials Science)

Annual Review of Materials Science について


巻： 30  ページ： 229-262  発行年： 2000年 
JST資料番号： D0856A  ISSN： 0084-6600  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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高密度高性能の多機能マイクロプロセッサを作るために急速に変貌...
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*ケイ素

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分類 (2件)：
分類
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金属薄膜 
(BK14030T)

金属薄膜 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
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けい素

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銅

銅 について

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メタライゼーション

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