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J-GLOBAL ID：200902163790207961   整理番号：98A0392009

InGaN/GaN多重量子井戸を光学的にポンプしたときの高温における誘導放出

High-temperature stimulated emission in optically pumped InGaN/GaN multiquantum wells.

著者 (8件)： BIDNYK S (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  SCHMIDT T J (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  CHO Y H (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  GAINER G H (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  SONG J J (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  KELLER S (Univ. California, California) ,  MISHRA U K (Univ. California, California) ,  DENBAARS S P (Univ. California, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 72  号： 13  ページ： 1623-1625  発行年： 1998年03月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVDで作った試料について175~575Kの温度範囲でN...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 非線形光学  (BD05000T) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  光学 ,  誘導放出