文献

J-GLOBAL ID：200902163893017770   整理番号：94A0213204

ゲート絶縁膜としての酸化物および再酸化窒化物酸化物のMOSコンデンサとMOSFETの信頼性

Reliability of MOS Capacitors and MOSFET’s with Oxide and Reoxidized-Nitrided-Oxide as Gate Insulators.

著者 (4件)： ROH T M (Electronics and Telecommunications Research Inst.) ,  YI K S (Electronics and Telecommunications Research Inst.) ,  YU B G (Electronics and Telecommunications Research Inst.) ,  NAM K S (Electronics and Telecommunications Research Inst.)
資料名： Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. A  (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. A)
巻： 30  号： 11  ページ： 937-944  発行年： 1993年11月 
JST資料番号： H0632B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 韓国語 (KO)

抄録/ポイント： 酸化炉と急速熱処理法で酸化膜と再酸化窒化酸化膜を形成し,その...

シソーラス用語： MOSFET ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0213204&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0632B") }}

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート絶縁膜 ,  酸化物 ,  再酸化 ,  窒化物 ,  MOSコンデンサ ,  MOSFET