AlGaN/GaN系でのトンネル接合の評価  分極電荷の結果

SINGH M; ZHANG Y; SINGH J; MISHRA U

文献

J-GLOBAL ID：200902164157788641 整理番号：00A1061610

AlGaN/GaN系でのトンネル接合の評価分極電荷の結果

Examination of tunnel junctions in the AlGaN/GaN system: Consequences of polarization charge.

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巻： 77 号： 12 ページ： 1867-1869 発行年： 2000年09月18日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

強い圧電効果と大きい自発分極のためにAlGaN/GaNヘテロ...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 半導体-金属接触

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