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J-GLOBAL ID：200902164414166053   整理番号：96A0708517

アンモニアとプラズマ生成窒素ラジカルによるガス原料分子ビームエピタクシーによるGaNの成長

Growth of GaN by gas-source molecular beam epitaxy by ammonia and by plasma generated nitrogen radicals.

著者 (9件)： WONG W S (UCSD, California, USA) ,  LI N Y (UCSD, California, USA) ,  DONG H K (UCSD, California, USA) ,  DENG F (UCSD, California, USA) ,  LAU S S (UCSD, California, USA) ,  TU C W (UCSD, California, USA) ,  HAYS J (Oklahoma State Univ., Oklahoma, USA) ,  BIDNYK S (Oklahoma State Univ., Oklahoma, USA) ,  SONG J J (Oklahoma State Univ., Oklahoma, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 164  号： 1/4  ページ： 159-166  発行年： 1996年07月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNをc及びr面サファイア上に,固体Ga元素と非分解アンモ...

シソーラス用語： エピタクシー ,...
準シソーラス用語： GSMBE成長

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： アンモニア ,  プラズマ生成 ,  窒素 ,  ラジカル ,  ガス原料 ,  分子ビームエピタクシー ,  GaN ,  成長