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J-GLOBAL ID：200902164442140094   整理番号：99A0503198

窒素添加CZ-Si結晶欠陥制御 (その1) Arアニールによる欠陥消滅と高BMD密度の実現

著者 (7件)： 大橋渡 (新日本製鉄 先端技研) ,  碇敦 (新日本製鉄 先端技研) ,  太田泰光 (新日本製鉄 先端技研) ,  立川昭義 (新日本製鉄 先端技研) ,  出合博之 (新日本製鉄 先端技研) ,  横田秀樹 (新日本製鉄 先端技研) ,  星野泰三 (NSC Electron)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 46th  号： 1  ページ： 468  発行年： 1999年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒素添加 ,  Si ,  結晶欠陥 ,  Ar ,  アニール ,  欠陥 ,  密度