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J-GLOBAL ID：200902164496542651   整理番号：01A0438594

(110)GaAs量子井戸における大きいテラス形成と変調電子状態

Large terrace formation and modulated electronic states in (110)GaAs quantum wells.
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著者 (5件)：
YOSHITA M

YOSHITA M について

(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)

Univ. Tokyo, Chiba, JPN について

, 
KONDO N

KONDO N について

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について

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SAKAKI H

SAKAKI H について

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について

, 
BABA M

BABA M について

(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)

Univ. Tokyo, Chiba, JPN について

, 
AKIYAMA H

AKIYAMA H について

(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)

Univ. Tokyo, Chiba, JPN について


資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 63  号： 7  ページ： 075305.1-075305.9  発行年： 2001年02月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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(110)へき開面上に成長させたGaAs量子井戸に形成される...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム について

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分類 (2件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  半導体のルミネセンス 
(BM08092S)

半導体のルミネセンス について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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GaAs

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, 
量子井戸

量子井戸 について

, 
テラス

テラス について

, 
変調

変調 について

, 
電子状態

電子状態 について


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