文献

J-GLOBAL ID：200902164797826060   整理番号：01A0767287

水素化物VPE成長させたGaN層及びテンプレートの包括的評価

Comprehensive characterization of hydride VPE grown GaN layers and templates.

著者 (1件)： MORKOC H (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA)
資料名： Materials Science & Engineering. R. Reports  (Materials Science & Engineering. R. Reports)
巻： R33  号： 5/6  ページ： 135-207  発行年： 2001年06月15日 
JST資料番号： T0341A  ISSN： 0927-796X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記GaN層中の欠陥に関する最近の研究成果を概観した。1)T...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： VPE成長 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0767287&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0341A") }}

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素化物 ,  VPE成長 ,  GaN ,  テンプレート ,  評価