文献

J-GLOBAL ID：200902165058683460   整理番号：97A0730361

ジェット気相堆積で形成された窒化シリコン膜のゲート誘電特性

Gate dielectric properties of silicon nitride films formed by jet vapor deposition.

著者 (1件)： MA T P (Yale Univ., CT, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 117/118  ページ： 259-267  発行年： 1997年06月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規なジェット気相堆積(JVD)技術で作られた高品質窒化シリ...

シソーラス用語： 窒化ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0730361&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： ジェット ,  気相堆積 ,  窒化シリコン膜 ,  ゲート ,  誘電特性