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J-GLOBAL ID：200902165121705738   整理番号：03A0088323

SOI厚5nm以下の極薄ボディーSOInおよびpMOSFETにおけるキャリア輸送メカニズムの実験検討

Experimental Study on Carrier Transport Mechanism in Ultrathin-body SOI n- and p-MOSFETs with SOI Thickness less than 5 nm.

著者 (6件)： UCHIDA K (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  WATANABE H (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KINOSHITA A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KOGA J (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  NUMATA T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TAKAGI S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2002  ページ： 47-50  発行年： 2002年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *SOI構造 ,...
準シソーラス用語： サブバンド準位 ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： SOI ,  厚 ,  極 ,  pMOSFET ,  キャリア輸送 ,  メカニズム ,  実験