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J-GLOBAL ID：200902165134441993   整理番号：94A0276980

マイクロ波プラズマ化学蒸着によるダイヤモンド膜のエピタキシャル成長に対する立方晶窒化ほう素結晶のファセット方位の影響

Orientation influence of cubic boron nitride crystal facets on the epitaxial growth of diamond film by microwave plasma chemical vapor deposition.

著者 (7件)： CHAI W P (Inst. Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN) ,  GU Y S (Inst. Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN) ,  LI M (Inst. Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN) ,  MAI Z H (Inst. Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN) ,  LI Q Z (Beijing Lab. Vacuum Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN) ,  YUAN L (Beijing Lab. Vacuum Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN) ,  PANG S J (Beijing Lab. Vacuum Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 135  号： 3/4  ページ： 639-642  発行年： 1994年02月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜を単結晶立方窒化ほう素(c...

シソーラス用語： ダイヤモンド ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： マイクロ波プラズマ化学蒸着 ,  ダイヤモンド膜 ,  エピタキシャル成長 ,  立方晶窒化ほう素 ,  結晶 ,  ファセット ,  方位