文献

J-GLOBAL ID：200902165214351618   整理番号：95A0621505

化合物半導体中の浅い不純物の活性化と拡散

Activation and diffusion of shallow impurities in compound semiconductors.

著者 (1件)： WALUKIEWICZ W (Univ. California, CA, USA)
資料名： Institute of Physics Conference Series  (Institute of Physics Conference Series)
号： 141  ページ： 259-264  発行年： 1995年 
JST資料番号： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSAC  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近提案された両性自然欠陥模型の立場で,自然欠陥の形成を論じ...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0621505&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0403B") }}

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 化合物半導体 ,  不純物 ,  活性化 ,  拡散