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{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2021年06月
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文献
J-GLOBAL ID:200902165365689858   整理番号:99A0453435

シリコン表面上の高エネルギーイオン蒸着研究のための低エネルギーイオンビームシステム

A low-energy ion beam system for studying energetic ion deposition on Silicon surfaces.
著者 (1件):
資料名:
巻: 53  号: 3/4  ページ: 459-464  発行年: 1999年06月
JST資料番号: E0347A  ISSN: 0042-207X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)

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