ZnSeバルク単結晶の後成長n型ドーピング

文献

J-GLOBAL ID：200902165597295767 整理番号：99A0778327

Post growth n-type doping of ZnSe-bulk single crystals.

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資料名：
巻： 204 号： 4 ページ： 434-440 発行年： 1999年08月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

昇華法,融液成長法,PbCl₂溶媒のT...

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半導体結晶の電気伝導 , 半導体の格子欠陥

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