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J-GLOBAL ID：200902165751227877   整理番号：00A0027399

MRAM技術の進展と展望

Progress and Outlook for MRAM Technology.

著者 (6件)： TEHRANI S (Motorola Lab.) ,  SLAUGHTER J M (Motorola Lab.) ,  CHEN E (Motorola Lab.) ,  DURLAM M (Motorola Lab.) ,  SHI J (Motorola Lab.) ,  DEHERRERA M (Motorola Lab.)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 35  号： 5,Pt.1  ページ： 2814-2819  発行年： 1999年09月 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現存半導体メモリの特徴を総括し,不揮発性蓄積に磁気ビットを有...

シソーラス用語： *磁気抵抗効果 ,...
準シソーラス用語： MRAM【メモリ】 ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E)

タイトルに関連する用語 (3件)： MRAM ,  進展 ,  展望