文献

J-GLOBAL ID：200902165921671548   整理番号：96A0663918

テルル薄膜の堆積とアニーリング後のSi(100)表面のXPS,LEEDとAFMによる研究

XPS, LEED and AFM investigation of the Si(100) surface after the deposition and annealing of tellurium thin films.

著者 (5件)： SANTUCCI S (Univ. L’Aquila, L’Aquila, ITA) ,  DI NARDO S (Univ. L’Aquila, L’Aquila, ITA) ,  LOZZI L (Univ. L’Aquila, L’Aquila, ITA) ,  PASSACANTANDO M (Univ. L’Aquila, L’Aquila, ITA) ,  PICOZZI P (Univ. L’Aquila, L’Aquila, ITA)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 352/354  号： 1/3  ページ： 1027-1032  発行年： 1996年05月15日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アニーリング処理後のTe/Si(100)2×1システムの構造...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0663918&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0129B") }}

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (9件)： テルル ,  薄膜 ,  堆積 ,  アニーリング ,  Si ,  XPS ,  LEED ,  AFM ,  研究