文献

J-GLOBAL ID：200902165999051830   整理番号：94A0580200

GaAs基板上の擬位相整合非線形光学デバイスに利用する交互〈100〉/〈111〉方位II-VI領域の成長

Growth of alternating 〈100〉/〈111〉-oriented II-VI regions for quasi-phase-matched nonlinear optical devices on GaAs substrates.

著者 (7件)： ANGELL M J (Stanford Univ., California) ,  EMERSON R M (Stanford Univ., California) ,  HOYT J L (Stanford Univ., California) ,  GIBBONS J F (Stanford Univ., California) ,  EYRES L A (Stanford Univ., California) ,  BORTZ M L (Stanford Univ., California) ,  FEJER M M (Stanford Univ., California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 64  号： 23  ページ： 3107-3109  発行年： 1994年06月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着によりGaAs上でCdTeの横方向にパターン...

シソーラス用語： テルル化カドミウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0580200&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs基板 ,  位相整合 ,  非線形光学 ,  方位 ,  成長