2回のへき開端被覆成長によって作製した原子レベルで精密なGaAs/AlGaAs量子ドット

WEGSCHEIDER W; SCHEDELBECK G; ABSTREITER G; ROTHER M; BICHLER M

文献

J-GLOBAL ID：200902166045205247 整理番号：97A0913576

2回のへき開端被覆成長によって作製した原子レベルで精密なGaAs/AlGaAs量子ドット

Atomically Precise GaAs/AlGaAs Quantum Dots Fabricated by Twofold Cleaved Edge Overgrowth.

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巻： 79 号： 10 ページ： 1917-1920 発行年： 1997年09月08日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

7×7×7nm³サイズのGaAs量子ド...

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半導体のルミネセンス

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