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J-GLOBAL ID：200902166069099260   整理番号：01A0176333

領域を制御したInAs量子ドットの成長および密度とサイズの分布の改善

Area-controlled growth of InAs quantum dots and improvement of density and size distribution.

著者 (4件)： TATEBAYASHI J (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIOKA M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SOMEYA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ARAKAWA Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 21  ページ： 3382-3384  発行年： 2000年11月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂マスクと選択領域MOCVD成長...

シソーラス用語： 位置制御 ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs量子ドット ,  成長 ,  密度 ,  サイズ ,  分布