超高密度の垂直磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(招待論文)

ZHU J-G; ZHENG Y; PRINZ G A

文献

J-GLOBAL ID：200902166071621658 整理番号：00A0618027

超高密度の垂直磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(招待論文)

Ultrahigh density vertical magnetoresistive random access memory(invited).

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資料名：
巻： 87 号： 9,Pt.3 ページ： 6668-6673 発行年： 2000年05月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

マイクロマグネティックシミュレーション解析に基づき,標記垂直...

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磁電デバイス , 集積回路一般

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