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J-GLOBAL ID：200902166072401260   整理番号：99A0326927

背面n接触のあるn-GaN基板上に成長させたInGaN多重量子井戸レーザダイオードの室温連続動作

Room-Temperature Continuous-Wave Operation of InGaN Multi-Quantum-Well Laser Diodes Grown on an n-GaN Substrate with a Backside n-Contact.

著者 (9件)： KURAMOTO M (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SASAOKA C (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  HISANAGA Y (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KIMURA A (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  YAMAGUCHI A A (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SUNAKAWA H (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KURODA N (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  NIDO M (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  MIZUTA M (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 2B  ページ： L184-L186  発行年： 1999年02月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記ダイオードの連続動作を実証した。3μm幅のリッジ構造で,...

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (15件)：

• 1) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nakamura, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4056.
• 2) T. Kobayashi, F. Nakamura, K. Naganuma, T. Tojyo, H. Nakajima, T. Asatsuma, H. Kawai and M. Ikeda: Electron. Lett. 34 (1998) 1494.
• 3) K. Doverspike, G. E. Bulman, S. T. Sheppard, H. S. Kong, M. Leonard, H. Dieringer, T. W. Week, J. Edmond, J. D. Brown, J. T. Swindle, J. F. Schetzina, Y-K Song, M. Kuball and A. Nurmikko: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482 (1997) 1169.
• 4) S. Kubota, A. Kuramata, R. Soejima, K. Domen, K. Horino and T. Tanahashi: Proc. 2nd Int. Symp. Blue Laser and Light Emitting Diodes (1998) p. 441.
• 5) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L.1568.

タイトルに関連する用語 (8件)： 背面 ,  GaN ,  成長 ,  InGaN ,  多重量子井戸レーザ ,  ダイオード ,  室温 ,  連続動作