Si(111)-(7×7)上のSn吸着の初期過程

CUSTANCE O; BRIHUEGA I; GOMEZ-RODRIGUEZ J M; BARO A M

文献

J-GLOBAL ID：200902166079168200 整理番号：01A0850172

Si(111)-(7×7)上のSn吸着の初期過程

Initial stages of Sn adsorption on Si(111)-(7×7).

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資料名：
巻： 482/485 号： Pt.2 ページ： 1406-1412 発行年： 2001年06月20日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて,室温で標記研究を行っ...

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半導体の表面構造 , 物理的手法を用いた吸着の研究 , 金属の結晶成長

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