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J-GLOBAL ID:200902166255199673   整理番号:98A0109783

6KにおけるSi(100)ダイマー間相互作用と位相欠陥のダイナミックス

Interaction between Si(100) Surface Dimers and Dynamics of Phase Defects Formed on Dimer Rows at 6K Studied by Scanning Tunneling Microscopy.
著者 (7件):
資料名:
巻: 18  号: 12  ページ: 780-785  発行年: 1997年12月 
JST資料番号: F0940B  ISSN: 0388-5321  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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Si(100)面ダイマ列にできた位相欠陥/P欠陥の動力学を6...
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半導体の表面構造 
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