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J-GLOBAL ID：200902166611424784   整理番号：93A0368415

酸素添加p型AlGaAsエピタキシャル層の特性

Characteristics of Oxygen-Doped p-type AlGaAs Epitaxial Layer.

著者 (5件)： 木山誠 (住友電気工業 基盤技研) ,  土井秀之 (住友電気工業 基盤技研) ,  中村敬 (住友電気工業) ,  香門浩一 (住友電気工業 基盤技研) ,  松本和久 (住友電気工業 基盤技研)
資料名： SEIテクニカルレビュー  (住友電気)
号： 142  ページ： 66-69  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： F0314A  ISSN： 1343-4330  CODEN： SUDEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸素はAlと結合しやすく,AlGaAs成長時の酸素混入は重大...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムアルミニウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸素添加 ,  AlGaAs ,  エピタキシャル層