文献

J-GLOBAL ID：200902166746283552   整理番号：94A0591250

アモルファス半導体の局在準位分布の新しい評価法

A Novel Method for the Determination of Localized-state Distributions in Amorphous Semiconductors from Transient Photocurrent using a Laplace Transform Technique.

著者 (4件)： DING J (大阪府大 工) ,  内藤裕義 (大阪府大 工) ,  奥田昌宏 (大阪府大 工) ,  堂丸隆祥 (大阪府大)
資料名： 電子写真学会誌  (Electrophotography)
巻： 33  号： 2  ページ： 135-141  発行年： 1994年06月 
JST資料番号： G0323A  ISSN： 0387-916X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： アモルファス半導体の過渡光伝導からその局在準位密度分布を決定...

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0591250&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0323A") }}

分類 (2件)： 非晶質の電子構造一般  (BM02041I) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

引用文献 (16件)：

• 1) J. Orensein and M.A. Kastner: Phys. Rev. Lett. 46, 1421 (1981).
• 2) J.M. Marshall: Rep. Prog. Phys. 46, 1235 (1983).
• 3) J.G. Simmons and M.C. Tam: Phys. Rev. B7, 3706 (1972).
• 4) H.Naito, J. Ding and M. Okuda: Appl. Phys. Lett. 64, 1830 (1994).
• 5) H.Naito, T. Iwai, M. Okuda, T. Matsushita and A. Sugimura: J. Non-Cryst. Solids, 114, 112 (1989).

タイトルに関連する用語 (4件)： アモルファス半導体 ,  局在準位 ,  分布 ,  評価法