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J-GLOBAL ID：200902167321649053   整理番号：02A0475780

走査型トンネル顕微鏡発光分光法によるAlGaAs/GaAs量子井戸構造の障壁における電子輸送の観測

Electron transport in the barriers of AlGaAs/GaAs quantum well structures observed by scanning-tunneling-microscope light-emission spectroscopy.

著者 (5件)： TSURUOKA T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANIMOTO R (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHIZUMI Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ARAFUNE R (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  USHIODA S (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 20  ページ： 3748-3750  発行年： 2002年05月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型トンネル顕微鏡チップから標記構造に注入したホットエレク...

シソーラス用語： 走査型トンネル顕微鏡 ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 走査型トンネル顕微鏡 ,  発光分光法 ,  AlGaAs ,  GaAs ,  量子井戸 ,  障壁 ,  電子輸送 ,  観測