文献
J-GLOBAL ID:200902167541767057 整理番号:99A0519962
今後の半導体動向とリソグラフィー技術
Prospects of semiconductor technology and lithography.
出版者サイト
{{ this.onShowPLink() }}
複写サービスで全文入手
{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=99A0519962©=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0519962&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0252A") }}
著者 (1件):
笹子勝
笹子勝 について
名寄せID(JGPN) 200901100355487027 ですべてを検索
「笹子勝」ですべてを検索
(
松下電子工業
)
松下電子工業 について
名寄せID(JGON) 202151000166227813 ですべてを検索
「松下電子工業」ですべてを検索
資料名:
応用物理 (JSAP International)
応用物理 について
JST資料番号 F0252A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る
巻:
68
号:
5
ページ:
520-526
発行年:
1999年05月10日
JST資料番号:
F0252A
ISSN:
0369-8009
CODEN:
OYBSA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
永く光リソグラフィー技術により,営々と進展してきた半導体産業...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
*リソグラフィー
リソグラフィー について
「リソグラフィー」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
,...
続きはJDreamIII(有料)にて
{{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0519962&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0252A") }}
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般
(NC03030V)
固体デバイス製造技術一般 について
分類コード NC03030V で文献を検索
分類コード4桁 NC03 で文献を検索
引用文献 (40件):
CHIN, D. IEDM Tech.Dig. 1998, 3
DAVARI, B. IEDM Tech.Dig. 1996, 558
半導体産業研究所96年度報告書. 1996
BROWN, K. SPIE. 1995, 1264, 2
石谷明彦. 機械振興. 1997, 30, 24
もっと見る
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
動向
動向 について
「動向」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
,
リソグラフィー技術
リソグラフィー技術 について
「リソグラフィー技術」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
前のページに戻る
TOP
BOTTOM